电器与能效管理技术 ›› 2023, Vol. 0 ›› Issue (2): 22-30.doi: 10.16628/j.cnki.2095-8188.2023.02.005
肖健1, 万陆峰2, 林见文1, 王君彦3, 张家恺3
XIAO Jian1, WAN Lufeng2, LIN Jianwen1, WANG Junyan3, ZHANG Jiakai3
摘要:
针对准谐振工作模式的反激电路的开关管开通损耗高、开通时du/dt大导致EMI差的问题,提出一种斜率检测谷底导通控制方法。有效提高了谷底电压的检测精度,降低了开关管的开通电压,降低了开通损耗;减小了开通时开关管的du/dt,改善了电路的电磁干扰(EMI)性能。详细分析反激电路及所提控制方法的原理和工作过程,以及所提控制方法对电路EMI特性的影响,并设计了关键参数。最后,仿真和实验给出了样机在功率20~40 W,输入电压DC 430 V,输出恒流DC 1.05 A的效率曲线和EMI特性曲线,并与目前广泛运用的去磁检测法对比,验证了所提出控制方法的有效性。
中图分类号: