摘要: 通过对箱式气体绝缘开关设备(C-GIS)发热和散热机理进行分析,完成40.5 kV/4 000 A设备主电回路涡流仿真,优化主电回路导体设计。通过增加3 mm主导体厚度降低涡流损耗,回路单相电阻由34 μΩ降至22 μΩ。根据主电回路温升仿真断路器极柱发热位置,分析散热结构,改善气体对流风道,模拟开关设备柜内外气体对流情况,制造开关设备样机并完成温升试验。结果表明,在强制风冷条件下,极柱散热方案改进的断路器静端温升最大降低约15.4 K。
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龙远炎, 杨悖思, 李俊豪, 王广先. 40.5 kV/4 000 A SF6柜式气体绝缘开关设备散热方案设计[J]. 电器与能效管理技术, 2025, 0(3): 76-80.
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